Business
业务介绍
素材/部件
SILICON
硅
半导体用硅零件主要用作Etching工艺的Chamber内耗元件，近年来随着高性能/高微细加工工艺的发展，硅零件的使用比重呈增加趋势。
硅零件具有很高的耐热性和耐等离子体性，比金属材料的工艺污染少，因此可以保护设备内部免受等离子体和化学反应的影响，并起到防止污染的作用。
本公司的生产销售体系
在子公司SELIG生产的铸锭供应稳定，不仅向韩国，还向世界各国供应各种Si零件，正在扩大到更广阔的全球市场。
硅物理性质表
| 单晶硅 | 多晶硅 | |
|---|---|---|
| 晶体结构 | 单一晶体 | 多晶体 |
| 密度 | 约 2.329 g/cm³ | 约 2.32~2.33 g/cm³ |
| 导热率 | 约 149 W/m·K | 约 80~120 W/m·K |
| 带隙 | 约 1.12 eV (300K) | 约 1.12 eV (相同但结晶缺陷较多) |
| 比热 | 约 700 J/kg·K | 约 700 J/kg·K |
| 热膨胀系数 | 2.6 × 10⁻⁶ /K | 约 2.5~2.7 × 10⁻⁶ /K |
| 电阻率 | 10⁴~10⁶ Ω·cm | 10⁴~10⁶ Ω·cm |
| 机械强度 | 约 7000 MPa (拉伸强度因方向而异) | 平均较低 (200~400 MPa) |
通过自行生产单晶硅和多晶硅，我们提供了一站式解决方案，不仅可以定制响应，还可以提供质量、交货期和技术支持。
主要产品
| 主要设备 | 管理目的 |
|---|---|
| Silicon C-Shroud Ring Silicon Outer Ring |
保护腔内的Wafer Edge，为提高Wafer产量做出贡献。同时也是稳定腔内气体分布和等离子体区域，起到屏蔽和减少粒子的作用的零件。 |
| Silicon Electrode | 设备内的等离子体产生和Wafer的支撑作用，同时引导等离子体分布均匀的零件。 |
| Silicon Curved Electrode | 与普通平面电极不同，具有曲面（Convex or Concave）结构，是专门用于电场分布或等离子体密度控制的零件。 |
